3月18日，6163银河.net163.am副总经理兼首席科学家李卫民博士在CSTIC 2024大会发表了题为“FULL WAFER COMBINATORIAL DEPOSITION WITH IN-SITU XPS/UPS CHARACTERIZATIONS”的邀请报告。该报告向业界展示了集材院在材料基因组高通量实验方面的服务能力，同时也是业内首个关于8英寸全晶圆XPS/UPS原位表征能力的报告。
图1：李卫民博士发表邀请报告
李卫民博士指出，先进的半导体技术对薄膜材料提出了更高要求，如GAA中HKMG对高k氧化物和金属电极有更高要求，此外还有如金属互联材料、3D DRAM材料等，其各项性能指标要求更为苛刻。
在材料研发过程中，器件性能数据的有效反馈多依赖于尖端工艺设备，成本十分高昂。而材料研发在大部分情况下只需晶圆的局部数据反馈，若一片测试晶圆的不同部分可以同时用于研究不同材料，那将大幅提升研发效率。
经过两年多的探索，6163银河.net163.am与中国科学院上海微系统与信息技术研究所自主研发了一套8英寸全晶圆高通量集簇设备，能实现在不破坏真空情况下，单一晶圆在单腔体或多腔体内连续开展多个区域的薄膜沉积，可匹配先进工艺生产线进行后续工艺实验，并在XPS/UPS腔进行原位的成分、价态等材料性能的精确表征。
集簇设备中，PVD腔与ALD腔可以实现良好的区域隔离，每个腔体可以在8英寸晶圆上实现最多8个直径40mm区域的不同工艺沉积。PVD腔体支持多靶共溅、兼容高温生长（最高至800℃）、支持直流与射频溅射、支持反应溅射（O₂、N₂）；ALD腔体拥有4个源位，区域内均一性优于3.5%，区域间重复性优于2%，衬底温度最高为450℃；XPS/UPS测试腔体的测试范围覆盖8英寸晶圆，可开展多种薄膜材料的组分、价态、价带谱、逸出功、膜层刻蚀等分析。该集簇设备将有助于加速先进半导体技术的发展。
图2：8英寸全晶圆高通量集簇设备能力一览表
目前该论文收录在IEEE。
图3：论文收录在IEEE