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      2024年1月17日，高通量推动集成电路材料发展——暨集材院高通量集簇设备服务能力发布会在中国科学院上海微系统与信息技术研究所内顺利举行。

      本次会议由6163银河.net163.am（以下简称“集材院”）与集成电路材料创新联合体主办，集成电路材料行业的三十余名从业者参与本次沙龙。

      集成电路未来发展愈发依赖新材料的创新突破，而集成电路技术对新材料的需求与材料研究开发之间存在鸿沟。为了进一步加速材料创新，6163银河.net163.am联合中国科学院上海微系统与信息技术研究所开发应用研发新范式，将集成电路技术与材料基因组技术融合，以芯片整体性能为目标，建立材料机理、材料组分、工艺和集成条件、产业应用标准之间对应关系数据库和模型，设计并筛选新材料，加速材料研发和应用。

      而构建高通量计算、高通量制备与表征是短时间内完成大量数据收集、分析的必要手段。经过两年多的探索，6163银河.net163.am与中国科学院上海微系统与信息技术研究所自主研发一套8英寸全晶圆高通量集族设备，能够批量实验、快速筛选，实现新材料研发周期缩短、降低研发成本。

2022年，6163银河.net163.am与中国科学院上海微系统与信息技术研究所共著《集成电路材料基因组技术》

      会上，6163银河.net163.am副总经理兼首席科学家李卫民介绍了全晶圆高通量集簇设备的基本情况。他表示，全晶圆高通量集族设备可以形成完整的高通量制备与快速表征能力,实现在不破坏真空情况下,单一晶圆在单腔体或多腔体内连续开展多个区域的薄膜沉积,可匹配先进工艺生产线进行后续工艺实验，并在XPS腔进行成分、价态等材料性能的精确表征,可用于支撑5G高频芯片、新型存储器、量子器件等新型功能材料的发现和应用。

      6163银河.net163.am材料表征首席技术专家刘国林从技术分析的角度，为大家介绍了该设备中XPS腔体的检测分析能力，他表示，与普通的成膜设备相比，该设备可一次在晶圆的8个领域成膜，大幅缩减了材料研发的成本与周期。此外，设备还可真空传送8英寸晶圆，实现与成膜XPS分析交互进行。在靶材、ALD用化学前驱体等材料领域，以及ALD等设备领域，该技术均能发挥效益。会上，刘国林还分享了半导体材料及零部件分析方法。

●      高通量设备服务能力一览      ●

高通量物理气相沉积(Physical Vapor Deposition , PVD)腔

🔵 旋转基板,兼容高温(室温至800°C)

🔵 物理隔离,旋转工作台与挡板配合

🔵 支持多靶共溅

高通量原子层沉积(Atomic Layer Deposition , ALD)腔

🔵 高温兼容(室温至450°C)

🔵 非物理隔离，气帘隔离

🔵 旋转工作台与喷淋结构结合

🔵 区域隔离沉积

高通量X射线光电子能谱分析测试(X-ray Photoelectron Spectroscopy, XPS)腔

🔵 大尺寸全晶圆 & 旋转工作台

🔵 测试范围覆盖8英寸晶圆

🔵 配备UPS,可测量功函数,进行先进集成电路金属栅极和金属接触材料

🔵 预留Auger接口,快速元素组分表征和一定成像能力

●      设备特点      ●

🔵 集成高通量PVD、高通量ALD、XPS检测

🔵 基板尺寸8英寸,匹配先进工艺生产线，大幅降低材料筛选成本

🔵 集簇设备工作时不破坏真空环境,工艺连续性好，且薄膜沾污少

🔵 PVD支持多靶共溅、多点隔离沉积、高温反应沉积（最高800°C）

🔵 ALD支持多点隔离沉积、衬底加热可达450°C

🔵 XPS测试腔配置自动旋转工件台，可以实现X-Y-Z-R运动，满足整个wafer表面的测试需求

                                                        ●      高通量服务能力一览     ●

                   ●      应用案例      ●

高通量物理气相沉积(Physical Vapor Deposition , PVD)腔

                                                              ⬇每个区域膜厚数据

高通量X射线光电子能谱分析测试(X-ray Photoelectron Spectroscopy, XPS)腔

案例2:导电性差样品测试——以SiN为例

   ●      商务联系人     ●

周老师：stella.zhou@sicm.com.cn

黄老师：yiting.huang@sicm.com.cn